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ISL9N310AS3
  • ISL9N310AS3
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ISL9N310AS3

제품 상세정보
트랜지스터 극성::
엔-채널
상품 카테고리 ::
반도체-집적회로 - IC
최소 동작 온도 ::
- 55 C
최대 작업 온도 ::
+ 175 C
Pd 전력 손실::
70 W
일반적인 온 딜레이 시간::
11 나노 초
패키지 ::
투브
가을 시간::
36 나노 초
Vds-드레인 소스 항복 전압::
30V
제조사 ::
길이 ::
10.29mm
폭 ::
4.83mm
구성 ::
싱글
Vgs - 게이트 소스 전압::
20 V
단위 무게 ::
2.387g
Rds 온드레인 소스 온저항::
15 모엠에스
상승 시간::
52 나노 초
채널 수 ::
1개 채널
일반적인 종료 지연 시간::
39 나노 초
높이 ::
7.88mm
Id 연속 드레인 전류::
62 A
트랜지스터 유형::
N채널 1개
설치 스타일::
구멍을 통해
공장 포장 수량::
50
채널 모드::
향상
기술 ::
Si
시리즈 ::
ISL9N310
지불과 운송 용어
주식
주식에서
배송 방법
LCL, 에어, FCL, 익스프레스
설명
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM 최적화
지불 조건
L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램
제품 설명
ISL9N310AS3, onsemi에서,반도체-종합회로 - ICs입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로,원본 및 새로운 부품입니다.상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!

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