UNR911BG0L

Name: UNR911BG0L
Brand: UNR911BG0L
SKU: UNR911BG0L
Rating: 4.6 (173 reviews)

제품 상세정보

분류:

개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 단일, 사전 바이어스 양극 트랜지스터

경향 - 수집기 (Ic) (맥스):

100 마

제품 상태:

구식

트랜지스터형:

PNP - 사전 바이어스됨

장착형:

표면 마운트

주파수 - 변화:

80 마하즈

패키지:

테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®

시리즈:

Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):

300μA, 10mA에서 250mV

전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):

50 Ｖ

공급자의 장치 패키지:

SSMini3-F3

저항기 - 토대 (R1):

100 크옴스

Mfr:

파나소닉 전자 부품

경향 - 집전기 절단 (맥스):

500nA

전원 - 맥스:

125 mW

패키지 / 케이스:

SC-89, SOT-490

Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):

160 @ 5mA, 10V

기본 제품 번호:

UNR911

지불과 운송 용어

주식

주식에서

배송 방법

LCL, 에어, FCL, 익스프레스

설명

트랜스 프리바이어스 PNP 125MW SSMINI3

지불 조건

L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램

제품 설명

사전 편향된 양극 트랜지스터 (BJT) PNP - 사전 편향된 50 V 100 mA 80 MHz 125 mW 표면 마운트 SSMini3-F3

태그:

UNR911BG0L

트랜지스터 IC 칩,

내장된 칩,

내장된 칩 SMD

MRF8S26120HSR5

BLP25M705Z

NE5531079A-T1-A

BLF189XRBSU

PD57045TR-E

BLC8G22LS-450AVY

MAGX-000035-01500P

PTVA120251EA-V1

MRFE6VP8600HSR5

STAC2942BW

MRF8P20140WHSR5

BLF989U

집적 회로 칩

플래쉬 메모리 IC 칩

TI 집적 회로

ST 집적 회로

인텔 집적 회로