A2I20H060NR1

Name: A2I20H060NR1
Brand: A2I20H060NR1
SKU: A2I20H060NR1
Rating: 4.9 (113 reviews)

제품 상세정보

분류:

개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET RF FET, MOSFET

제품 상태:

액티브

장착형:

표면 마운트

전압 - 평가됩니다:

65 Ｖ

패키지:

테이프 & 롤 (TR)

구성:

듀얼

시리즈:

소음 지수:

공급자의 장치 패키지:

TO-270WB-15

전압 - 테스트:

28 Ｖ

Mfr:

NXP 미국 Inc.

주파수:

1.84GHz

게인:

28.9dB

패키지 / 케이스:

TO-270-15 변형, 플랫 리드

경향 - 테스트:

24 마

전원 - 생산:

12W

기술:

라이드모스

전류 등급 (Amps):

기본 제품 번호:

A2I20

지불과 운송 용어

주식

주식에서

배송 방법

LCL, 에어, FCL, 익스프레스

설명

IC 트랜스 RF LDMOS

지불 조건

L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램

제품 설명

RF 모스페트 28V 24mA 1.84GHz 28.9dB 12W TO-270WB-15

태그:

A2I20H060NR1

트랜지스터 IC 칩,

내장된 칩,

내장된 칩 SMD

MRF8S26120HSR5

BLP25M705Z

NE5531079A-T1-A

BLF189XRBSU

PD57045TR-E

BLC8G22LS-450AVY

MAGX-000035-01500P

PTVA120251EA-V1

MRFE6VP8600HSR5

STAC2942BW

MRF8P20140WHSR5

BLF989U

집적 회로 칩

플래쉬 메모리 IC 칩

TI 집적 회로

ST 집적 회로

인텔 집적 회로