FS150R07N3E4BOSA1

Name: FS150R07N3E4BOSA1
Brand: FS150R07N3E4BOSA1
SKU: FS150R07N3E4BOSA1
Rating: 4.5 (188 reviews)

제품 상세정보

분류:

개별 반도체 제품 트랜지스터 IGBT IGBT 모듈

경향 - 수집기 (Ic) (맥스):

150 A

제품 상태:

액티브

장착형:

섀시 마운트

패키지:

트레이

시리즈:

EconoPACK™ 3

패키지 / 케이스:

모듈

프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:

1.95V @ 15V, 150A

전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):

650 Ｖ

공급자의 장치 패키지:

모듈

Mfr:

인피니온 테크놀로지

작동 온도:

-40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)

경향 - 집전기 절단 (맥스):

1 마

IGBT는 타이핑합니다:

트렌치 필드 스톱

전원 - 맥스:

430 Ｗ

입력:

표준

프스에 있는 입력 커패시턴스 (CIE):

25V에서 9.3nF

구성:

3상 인버터

NTC 서미스터:

네

기본 제품 번호:

FS150R07

지불과 운송 용어

주식

주식에서

배송 방법

LCL, 에어, FCL, 익스프레스

설명

IGBT 모드 650V 150A 430W

지불 조건

L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램

제품 설명

IGBT 모듈 트렌치 필드 스톱 3단계 인버터 650 V 150 A 430 W 체시 마운트 모듈

태그:

FS150R07N3E4BOSA1

트랜지스터 IC 칩,

내장된 칩,

내장된 칩 SMD

MRF8S26120HSR5

BLP25M705Z

NE5531079A-T1-A

BLF189XRBSU

PD57045TR-E

BLC8G22LS-450AVY

MAGX-000035-01500P

PTVA120251EA-V1

MRFE6VP8600HSR5

STAC2942BW

MRF8P20140WHSR5

BLF989U

집적 회로 칩

플래쉬 메모리 IC 칩

TI 집적 회로

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인텔 집적 회로