R1WV6416RBG-5SI#B0

Name: R1WV6416RBG-5SI#B0
Brand: R1WV6416RBG-5SI#B0
SKU: R1WV6416RBG-5SI#B0
Rating: 4.6 (168 reviews)

제품 상세정보

분류:

융합 회로 (IC) 기억력 기억력

제품 상태:

구식

장착형:

표면 마운트

패키지:

대용품

시리즈:

기억기접합:

대비

페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:

55 나노 초

공급자의 장치 패키지:

48-TFBGA (8.5x11)

기억 영역형:

휘발성 물질

Mfr:

르네사스

메모리 용량:

64Mbit

전압 - 공급:

2.7V ~ 3.6V

패키지 / 케이스:

48-tfbga

메모리구성:

4M x 16, 8M x 8

작동 온도:

-40°C ~ 85°C (TA)

기술:

SRAM - 비동시적입니다

엑세스 시간:

55 나노 초

메모리 포맷:

SRAM

지불과 운송 용어

설명

R1WV6416RBG-5SI - 저전력 SRAM

제품 설명

SRAM - 비동기 메모리 IC 64Mbit 병렬 55 ns 48-TFBGA (8.5x11)

태그:

R1WV6416RBG-5SI#B0

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