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MT47H128M4BT-37E:A TR
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MT47H128M4BT-37E:A TR

MT47H128M4BT-37E:A TR

제품 상세정보
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
메모리 용량:
512Mbit
제품 상태:
디지키에 중지됩니다
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 릴 (TR) 컷 테이프 (CT)
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
92-FBGA(11x19)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
마이크론 테크놀러지.
클럭 주파수:
267 마하즈
전압 - 공급:
1.7V ~ 1.9V
엑세스 시간:
500이지 추신
패키지 / 케이스:
92-TFBGA
메모리구성:
128M x 4
작동 온도:
0' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM - DDR2
기본 제품 번호:
MT47H128M4
메모리 포맷:
DRAM
지불과 운송 용어
설명
IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA
제품 설명
SDRAM - DDR2 메모리 IC 512Mbit 병렬 267 MHz 500 ps 92-FBGA (11x19)

태그:

플래쉬 메모리 IC 칩,

집적 회로 칩,

메모리 칩

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