EM004LXQBDH13IS1T

Name: EM004LXQBDH13IS1T
Brand: EM004LXQBDH13IS1T
SKU: EM004LXQBDH13IS1T
Rating: 4.8 (151 reviews)

제품 상세정보

분류:

융합 회로 (IC) 기억력 기억력

메모리 용량:

4Mbit

제품 상태:

액티브

장착형:

표면 마운트

패키지:

트레이

시리즈:

EMxxLX

기억기접합:

SPI - 쿼드 입출력

페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:

공급자의 장치 패키지:

8-dfn (5x6)

기억 영역형:

비휘발성입니다

Mfr:

에버스핀 테크놀러지스사.

클럭 주파수:

200MHz

전압 - 공급:

1.65V ~ 2V

패키지 / 케이스:

8-VDFN 노출된 패드

메모리구성:

512K Ｘ 8

작동 온도:

-40°C ~ 85°C (TA)

기술:

MRAM(자기 저항 RAM)

엑세스 시간:

7 나노 초

메모리 포맷:

RAM

지불과 운송 용어

설명

8-DFN 133의 IC RAM 4MB 쿼드 SPI

제품 설명

MRAM (마그네토레시티브 램) 메모리 IC 4Mbit SPI - 쿼드 I/O 200 MHz 7 ns 8-DFN (5x6)

태그:

EM004LXQBDH13IS1T

플래쉬 메모리 IC 칩,

집적 회로 칩,

메모리 칩

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