TC58NVG1S3HBAI6

Name: TC58NVG1S3HBAI6
Brand: TC58NVG1S3HBAI6
SKU: TC58NVG1S3HBAI6
Rating: 5 (124 reviews)

제품 상세정보

분류:

융합 회로 (IC) 기억력 기억력

제품 상태:

액티브

장착형:

표면 마운트

패키지:

트레이

시리즈:

프로그램 가능한 디기키:

확인되지 않았습니다.

기억기접합:

대비

페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:

25 나노 초

공급자의 장치 패키지:

67-VFBGA (6.5x8)

기억 영역형:

비휘발성입니다

Mfr:

키옥사이아 미국, Inc.

메모리 용량:

2Gbit

전압 - 공급:

2.7V ~ 3.6V

엑세스 시간:

25 나노 초

패키지 / 케이스:

67-VFBGA

메모리구성:

256M x 8

작동 온도:

-40°C ~ 85°C (TA)

기술:

플래시 - NAND (SLC)

기본 제품 번호:

TC58NVG1

메모리 포맷:

플래시

지불과 운송 용어

설명

IC 플래시 2GBIT 병렬 67VFBGA

제품 설명

플래시 - NAND (SLC) 메모리 IC 2Gbit 병렬 25 ns 67-VFBGA (6.5x8)

태그:

TC58NVG1S3HBAI6

플래쉬 메모리 IC 칩,

집적 회로 칩,

메모리 칩

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