W97AH6NBVA1I TR

Name: W97AH6NBVA1I TR
Brand: W97AH6NBVA1I TR
SKU: W97AH6NBVA1I TR
Rating: 5 (184 reviews)

제품 상세정보

분류:

융합 회로 (IC) 기억력 기억력

메모리 용량:

1Gbit

제품 상태:

액티브

장착형:

표면 마운트

패키지:

테이프 & 롤 (TR)

시리즈:

프로그램 가능한 디기키:

확인되지 않았습니다.

기억기접합:

HSUL_12

페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:

15 나노 초

공급자의 장치 패키지:

134-VFBGA(10x11.5)

기억 영역형:

휘발성 물질

Mfr:

윈본드 전자공학

클럭 주파수:

533 마하즈

전압 - 공급:

1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V

패키지 / 케이스:

134-VFBGA

메모리구성:

64M Ｘ 16

작동 온도:

-40' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC)

기술:

SDRAM - 모바일 LPDDR2-S4B

기본 제품 번호:

W97AH6

메모리 포맷:

DRAM

지불과 운송 용어

설명

IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA

제품 설명

SDRAM - 모바일 LPDDR2-S4B 메모리 IC 1Gbit HSUL_12 533 MHz 134-VFBGA (10x11.5)

태그:

W97AH6NBVA1I TR

플래쉬 메모리 IC 칩,

집적 회로 칩,

메모리 칩

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