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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • W29N04KZSIBG

W29N04KZSIBG

제품 상세정보
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
ONFI
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
35ns, 700μs
공급자의 장치 패키지:
48-TSOP
기억 영역형:
비휘발성입니다
Mfr:
윈본드 전자공학
메모리 용량:
4Gbit
전압 - 공급:
1.7V ~ 1.95V
패키지 / 케이스:
48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭)
메모리구성:
512M X 8
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
플래시 - NAND (SLC)
엑세스 시간:
25 나노 초
메모리 포맷:
플래시
지불과 운송 용어
설명
4G비트 SLC 낸드 플래시, 3V, 8비트
제품 설명
플래시 - NAND (SLC) 메모리 IC 4Gbit ONFI 25 ns 48-TSOP

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