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HYB25L512160AC-7.5 릴
  • HYB25L512160AC-7.5 릴

HYB25L512160AC-7.5 릴

제품 상세정보
분류:
융합 회로 (IC) 기억력 기억력
메모리 용량:
512Mbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
14ns
공급자의 장치 패키지:
54-FBGA(8x12)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
인피니온 테크놀로지
클럭 주파수:
133 마하즈
전압 - 공급:
2.3V ~ 3.6V
패키지 / 케이스:
54-LFBGA
메모리구성:
32M X 16
작동 온도:
0°C ~ 70°C(TC)
기술:
SDRAM - 모바일 LPDDR
엑세스 시간:
6ns
메모리 포맷:
DRAM
지불과 운송 용어
설명
IC DRAM 512MBIT 병렬 54FBGA
제품 설명
SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 IC 512Mbit 병렬 133 MHz 6 ns 54-FBGA (8x12)

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