71V416S12BEG

Name: 71V416S12BEG
Brand: 71V416S12BEG
SKU: 71V416S12BEG
Rating: 4.9 (141 reviews)

제품 상세정보

분류:

융합 회로 (IC) 기억력 기억력

제품 상태:

액티브

장착형:

표면 마운트

패키지:

대용품

시리즈:

프로그램 가능한 디기키:

확인되지 않았습니다.

기억기접합:

대비

페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:

12 나노 초

공급자의 장치 패키지:

48-CABGA(9x9)

기억 영역형:

휘발성 물질

Mfr:

IDT, 집적 소자 테크놀리지사

메모리 용량:

4Mbit

전압 - 공급:

3V ~ 3.6V

엑세스 시간:

12ns

패키지 / 케이스:

48-tfbga

메모리구성:

256K x 16

작동 온도:

0°C ~ 70°C (TA)

기술:

SRAM - 비동시적입니다

기본 제품 번호:

71V416S

메모리 포맷:

SRAM

지불과 운송 용어

설명

IC SRAM 4MBIT 병렬 48CABGA

제품 설명

SRAM - 비동기 메모리 IC 4Mbit 병렬 12 ns 48-CABGA (9x9)

태그:

71V416S12BEG

플래쉬 메모리 IC 칩,

집적 회로 칩,

메모리 칩

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