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RMLV0816BGBG-4S2#AC0 SRAM 메모리 IC 8Mbit 병렬 45 Ns 48-TFBGA (7.5x8.5)
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RMLV0816BGBG-4S2#AC0 SRAM 메모리 IC 8Mbit 병렬 45 Ns 48-TFBGA (7.5x8.5)

제품 상세정보
분류:
집적 회로(IC)메모리Memory
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
45 나노 초
공급자의 장치 패키지:
48-TFBGA(7.5x8.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
로체스터 전자, LLC
메모리 용량:
8Mbit
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.6V
패키지 / 케이스:
48-tfbga
메모리구성:
512K X 16
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
SRAM - 비동시적입니다
엑세스 시간:
45 나노 초
메모리 포맷:
SRAM
하이 라이트: 

RMLV0816BGBG-4S2#AC0

,

RMLV0816BGBG-4S2#AC0 SRAM 메모리 IC

지불과 운송 용어
설명
RMLV0816BGB - 8Mb 고급 LPSRA
제품 설명

SRAM - 비동기 메모리 IC 8Mbit 병렬 45 ns 48-TFBGA (7.5x8.5)

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