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R1LV1616HSA-5SI#B1 SRAM IC 칩 SRAM 16MB CMOS 3V TSOP48 55NS -40TO85C
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R1LV1616HSA-5SI#B1 SRAM IC 칩 SRAM 16MB CMOS 3V TSOP48 55NS -40TO85C

R1LV1616HSA-5SI#B1 SRAM IC 칩 SRAM 16MB CMOS 3V TSOP48 55NS -40TO85C

제품 상세정보
분류:
집적 회로(IC)메모리Memory
제품 상태:
구식
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
R1LV1616HSA-I
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
55 나노 초
공급자의 장치 패키지:
48-TSOP I
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
르네사스
메모리 용량:
16Mbit
전압 - 공급:
2.7V ~ 3.6V
패키지 / 케이스:
48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭)
메모리구성:
1M x 16, 2M x 8
작동 온도:
-40°C ~ 85°C (TA)
기술:
SRAM - 비동시적입니다
엑세스 시간:
55 나노 초
메모리 포맷:
SRAM
하이 라이트: 

R1LV1616HSA-5SI#B1

,

R1LV1616HSA-5SI#B1 SRAM IC 칩

지불과 운송 용어
설명
R1LV1616HSA - 넓은 온도 R
제품 설명

SRAM - 비동기 메모리 IC 16Mbit 병렬 55 ns 48-TSOP I

제품 속성 속성 값
레네사스 전자제품
제품 카테고리 SRAM
RoHS: 세부 사항
트레이
브랜드: 레네사스 전자제품
높이: 1.2mm
길이는: 18.4mm
제품 종류: SRAM
96
하위 분류: 메모리 및 데이터 저장
너비: 12mm

태그:

플래쉬 메모리 IC 칩,

집적 회로 칩,

메모리 칩

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